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高壓VGF單晶爐

高壓VGF單晶爐是制備II一VI族和III一V族化合物半導體材料的關鍵設備。主要應用于半導體磷化銦(nP)、磷化鎵(GaP)等材料的單晶生長。

 

高壓VGF單晶爐設備特點

 

· 高壓爐體采用無縫碳鋼鋼管制造,品牌壓力容器資質廠家設計生產,可承受5倍工藝壓力,并有減壓閥,在超過6MPa時自動降壓,降壓口氣體做隔氧處理。
· 爐體底部有水冷降溫結構,可以增強坩堝支撐結構的導熱,利于晶體生長。
· 爐體設備有吸震機構,可以有效把電阻絲通大電流時的震動有效減除,有利于層錯能弱的晶體生長。
· 爐體支架裝有手動調節系統,方便裝取料時對爐體的調節。
· 增壓系統采用進口增壓泵、壓力平衡控制系統、氮氣瓶組成。精度高,反應靈敏,可編程工藝增壓與減壓。并設有壓力極限報警。
· 高精度溫度控制系統,提升工藝成品率。

 

技術參數

 

爐體結構 高壓立式單管狀腔體
適用單晶尺寸 Ф3″(可定制)
加熱溫區段數 6段(可定制)
顯示及監控段數 6段
控制方式 微機控制
爐體最高工作溫度 1250℃
溫度穩定性 優于0.2℃
生長過程降溫超調 優于0.2℃
溫度顯示精度 0.1℃
溫度控制精度 ±0.1℃
相鄰控溫熱偶可設定溫度差 0-3℃/cm
壓力控制 PID閉環控制
使用壓力 3MPa
腔體最高耐壓 15MPa
增壓泵壓力范圍 0-7MPa

 

VGF單晶爐
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