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SIC單晶爐

       SIC單晶爐是針對碳化硅單晶生長專用工藝設備,也可用于氮化鋁的單晶生長工藝。

 

SIC單晶爐設備特點

· 設備采用高頻電源感應加熱、水冷感應線圈,水冷箱及高溫密封,并具備對生長室內的高真空度進行檢測、溫度的精確測量、加熱過程的程序化控制,石墨坩堝與感應加熱線圈之間相對位置的調節以及Ar等多種氣體的定量定壓供給等功能,使設備在冷卻、隔熱和抗電磁輻射等方面有著非常好的效果;
· 設備為晶體生長提供一個理想的工藝環境條件,保證SiC晶體的穩定生長;
· 設備可以有效的避免加熱裝置對晶體的污染,同時也相對增加了工作空間。

 

技術參數

加熱溫度 最高溫度2500°C
高周波電源 50kw,7-15KHz
溫度測量 利用上下紅外放射溫度計測溫
控制方式 線圈電流控制(ACC)、放射溫度計控制(ATC) 
溫度控制精度 手動方式
氣氛 士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC)
極限圧力 真空、Ar 、N2 
圧力控制范圍 1.33x 10-3Pa (常溫空妒時)
(133~101) x105 Pa士0.1%FS,
低圧側 1.0~100.0士0.1 Torr,
高圧側100~760士5 Torr
SIC單晶爐
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