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ALD原子層沉積設備

       原子層沉積技術以精準控制薄層厚度,均勻性,保型性而著稱,廣泛應用于集成電路(IC)行業,它使得電子器件持續微型化成為可能,逐漸成為了微電子器件制造,半導體領域的必要技術。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。
       緊湊型原子層沉積系統,系統為全自動的安全互鎖設計,并提供了強大的靈活性,可以用于沉積多種薄膜。(可沉積氧的化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等;氮化物:TiN,Si3N4等;)
       應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層,非常方便腔體的清潔。該系統擁有一個載氣艙包含4個50ml的加熱源,用于前驅體以及反應物,同時帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

 

ALD原子層沉積設備特點

·不均勻性低于1%;
·陽極氧化鋁腔體;
·小反應腔體容積確??焖俚难h時間并提高質量;
·最大可支持4英寸的基片;
·最多支持4路50cc/100cc前驅體源;
·高深寬比結構的保形生長。

 

技術參數

設備尺寸:800X800X495mm
4英寸及以下兼容基片
3D 復雜表面襯底
多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品
樣品加熱50-260℃,精度±1℃
前驅體及管路:液態、固態、氣態,加熱溫度室溫~180℃
標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝
ALD原子層沉積設備
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