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PS-200單靶磁控濺射鍍膜機

 

設備簡介

PS-200單靶磁控濺射鍍膜機主要由真空室、磁控靶、旋轉基片架、真空系統、機架、電器控制等幾大部分組成??捎脕碇苽鋵щ娔?、金屬膜、介質膜、半導體膜、絕緣膜、多層膜等。設備結構緊湊,占地面積小適合高校實驗室及科研院所。

環境要求
供電:AC220V,功率≥20KVA
獨立地線:<3Ω,從設備到地線連接建議采用≥10mm2 的扁平銅線
供水:流量≥10L/min       水溫0~25℃
室溫:<30℃
相對濕度:<75%
高純氬氣
室內無腐蝕易燃、易爆、有毒氣體,無大的塵埃。

技術參數

真空室尺寸(內徑X高) Ф200×200mm
極限真空 2X10-4 Pa
恢復工作真空 從大氣抽至8X10-4 Pa,≤40min
工作真空 ≤6X10-1Pa
升壓率 ≤8X10-1Pa/h
基片架旋轉速度 2~20rpm可調
靶-片距 80~120mm
真空系統 分子泵:FF63/80 型  62 L/S
  機械泵:TRP-12型     3L/S
總功率 20KVA
設備占地尺寸 800X800
磁控濺射鍍膜機
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