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CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機主要由鍍膜腔室(φ500×H430mm),永磁圓形平面靶,真空系統,旋轉加熱基片臺,氣路系統,電氣控制及報警保護系統等組成。

設備特點及主要用途

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機主要由真空專用不銹鋼腔室、四只3英寸圓形平面磁控靶;直流、射頻濺射電源各一臺。機械泵+分子泵高真空系統、旋轉、加熱基片臺(室溫至300±1℃可調可控)、機架、氣路、水路、邏輯按鈕控制及安全保護等組成。該設備選配電源可具備四靶共濺射功能,實現一機多用,可開發納米級單層或多層的導電膜、金屬膜、半導體膜、絕緣膜等。整機結構緊湊、占地小、操作方便、抽真空速度快。

技術參數

真空腔室

φ500×H430mm

真空系統

復合分子泵+直聯旋片泵,氣動真空閥門

真空極限

優于8.0×10-5Pa

抽速

從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min

基片臺

基片臺尺寸:φ150mm 

基片加熱與旋轉

襯底加熱:室溫~300℃,自動測溫,PID控溫;基片旋轉:0-50轉/分鐘,可調可控

濺射靶規格

3英寸,四只

膜厚不均勻性

≤±5%

控制方式

手動按鈕控制;(自動控制可選)

報警及保護

缺水報警,強制水冷,過流過壓等異常情況自動執行保護功能

占地面積

長×寬: 1700×1600mm

PS-CK500
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